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MOS FET的内阻是多少?

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发表于 2017-11-4 09:34:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS FET的内阻是多少、到底什么是MOS FET的内阻?
5 C5 z0 `6 m2 H+ a/ c6 y; O" R, qD.S之间的开关闭合时总存在一定的电阻,这个电阻相当于MOS FET的内阻,一般这个电阻很小,都在10~30mΩ之间。可见,电流通过MOS FET,由于存在内阻,根据欧姆定律,必然存在电压降,从而损耗掉一部份电能,可见MOS FET 的内阻应越小越好。- v1 |+ S- Q: ]1 u( w
除内阻外,MOS管还有哪些主要技术指标?
- {& v6 j: H& E1 ~! PMOS管有以下主要技术指标:  {  m1 _& {6 w
1)漏源极耐压值:   VDSS     20V1 G. `9 ^3 P+ l5 u: Y
2)漏栅极耐压值:   VDGR    20V
7 G0 K* H1 T  n( U7 c# i  R" q8 C0 K3)栅源极耐压值:   VGSS    12V5 ], Q' ~- j0 U# o) ?0 ]
4)漏极最大电流ID   DC     6A" [' Z: f- G# D; b) J
                      Polse   24A2 e8 g1 N5 K8 ?+ @, y$ M
5)漏源极内阻RDS   VGS  2V    ID 3A   22mΩ——45mΩ  f% N9 [. f: N. z8 H$ D& Q
                      VGS  2.5V  ID 3A   19mΩ——30mΩ
+ j/ N2 q* v. h9 A: t" OVGS   4V   ID 3A   16mΩ——20mΩ! M; Q* h/ q! r

( w  s9 p6 x8 N1 }- g( P5 j; W
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