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MOS FET的内阻是多少?

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发表于 2017-11-4 09:34:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS FET的内阻是多少、到底什么是MOS FET的内阻?- X9 F$ `8 c+ X+ l3 p& F$ ^6 e
D.S之间的开关闭合时总存在一定的电阻,这个电阻相当于MOS FET的内阻,一般这个电阻很小,都在10~30mΩ之间。可见,电流通过MOS FET,由于存在内阻,根据欧姆定律,必然存在电压降,从而损耗掉一部份电能,可见MOS FET 的内阻应越小越好。
6 C- i) m! s( V5 V6 g除内阻外,MOS管还有哪些主要技术指标?( U8 U7 D9 W" Q$ f
MOS管有以下主要技术指标:
. S) t2 T# i" v% R3 \1)漏源极耐压值:   VDSS     20V) Q. _  L3 ^" v
2)漏栅极耐压值:   VDGR    20V
2 r5 a! {4 T% F9 K3)栅源极耐压值:   VGSS    12V# v; c7 [$ ~. k- z
4)漏极最大电流ID   DC     6A2 X; c; o# \; W: Z9 {3 ^
                      Polse   24A
7 E" \1 f" q# l; z" }2 X3 U5)漏源极内阻RDS   VGS  2V    ID 3A   22mΩ——45mΩ
5 n. I5 Q4 b4 @* y                      VGS  2.5V  ID 3A   19mΩ——30mΩ
; U3 Z! c( r! ]; xVGS   4V   ID 3A   16mΩ——20mΩ
3 Q$ e$ G. q' k7 C7 m  U9 F: P
7 l: s. f* g& @0 u5 M1 F% K% [
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